02
16

我国在3DNAND存储器研发领域取得标志性进展

2017-02-16 09:55分享至
中科院网站消息,由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司,与中国科学院微电子研究所联合承担的3DNAND存储器研发项目取得新进展。32层3DNAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

下一篇

美国专利局审查与上诉委员会作出裁决,判定张锋及MIT和Harvard的Broad Institute所申请的CRISPR基因编辑专利,与加州大学伯克利分校Dougna和欧洲合作者Charpentier的CRISPR发现,并不存在冲突,"no interference in fact"。张锋与Broad Institute得以保留其CRISPR专利权。这场天价的专利争夺战,至少在当前已经结束,张锋取得巨大胜利。

2017-02-16

36氪APP让一部分人先看到未来
36氪
鲸准
氪空间

推送和解读前沿、有料的科技创投资讯

一级市场金融信息和系统服务提供商

聚焦全球优秀创业者,项目融资率接近97%,领跑行业